盖世汽车讯 6月13日,英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies)宣布推出适用于汽车应用的新一代1200 V CoolSiC™ MOSFET,采用TO263-7封装。该车规级碳化硅(SiC)MOSFET可提供高功率密度和效率,支持双向充电,并可显著降低车载充电(OBC)和DC-DC应用的系统成本。
图片来源:英飞凌
盖世汽车讯 6月13日,英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies)宣布推出适用于汽车应用的新一代1200 V CoolSiC™ MOSFET,采用TO263-7封装。该车规级碳化硅(SiC)MOSFET可提供高功率密度和效率,支持双向充电,并可显著降低车载充电(OBC)和DC-DC应用的系统成本。
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